基于晶体管结构的分类
点接触晶体管
这是最早的锗晶体管，它的工作基础是一个困难和不可靠的电子成形过程，导致它们经常失败。此外，他们有一个共同的基础当前的增益α大于1，表现为负电阻。
双极结晶体管(BJT)
以下是是晶体管有三个端子(发射极、基极和集电极)，因此有两个结，即基极-发射极结和集电极-基极结。这些是电流控制的器件，其传导电流既依赖于多数载流子也依赖于少数载流子(因此是双极的)。
此外，这些可以是(i)npn型晶体管多数载流子为电子或(ii)多数载流子为空穴的PNP晶体管，这取决于它们的掺杂性质。除此之外，还发现了许多其他类型的bjt
异质结双极晶体管：
它们适用于高频应用，其发射极和基极区域由不同的半导体材料制成。
肖特基晶体管或肖特基夹紧晶体管：
这些器件使用肖特基势垒来避免晶体管饱和。
雪崩晶体管:
达林顿晶体管:
这是两个单独的晶体管级联的方式，产生的器件具有非常高的电流增益。
多个发射极晶体管：
这种晶体管专门设计用于实现NAND逻辑操作。
多个基本晶体管:
它是通过对信号进行构造叠加，而对随机噪声进行随机叠加来放大噪声环境中的极低电平信号。
扩散晶体管：
它们通过将半导体材料与必要的掺杂剂扩散而形成。
场效应晶体管（FET）
这些是电压控制的三端晶体管，其中栅极端控制流量当前的在源极和漏极之间。这些也被称为单极器件，因为它们的传导电流仅仅取决于大多数载流子，根据这些载流子可以是n沟道(大多数载流子是电子)或p沟道(大多数载流子是空穴)fet。此外,场效应晶体管可以被归类为
结型场效应晶体管(jfet):
JFETS.可以取决于它们是否具有PN或肖特基势垒连接点的PN JFET或金属半导体FET（MESFET）。
金属氧化物半导体FET（MOSFET）或绝缘栅FET（IGFET）：
这些装置在其栅极端子下方具有绝缘层，其导致非常高的输入阻抗。根据是否具有预先存在的频道，这些可以是耗尽 - 或增强模式的一种，这可以是在存在和不存在栅极电压的情况下影响其行为的预先存在的渠道。
双栅极MOSFET（DGMOSFET）：
这些在射频应用中特别有用，有两个串行门控制。
高电子迁移率晶体管(HEMT)或异质结构FET (het):
这些特点是存在异质结，其中包括不同的材料在任何一方的结，并被用于非常高的微波频率应用。这些器件的其他变化包括变质HEMT，赝晶HEMT (PHEMT)，诱导HEMT，异质结构绝缘栅FET (HIGFET)和调制掺杂FET (MODFET)。
Finfets：
这些是双栅晶体管，其有效通道宽度由形成器件主体的薄硅“鳍”决定。
垂直MOS (vmo):
该设备在结构上类似于MOS设备，除了它们在其中具有V形沟，增加了它们的复杂性和成本。
Umos FET：
这是一种基于沟槽结构的场效应管，几乎与VMOS相似，只是它们有一个“U”型槽，而不是“V”型槽。
TrenchMOS:
基于该技术的FET分别具有垂直结构，分别具有源极和顶部和底部的漏极端子。
金属氮化物半导体(MNOS):
这种晶体管是MOS技术的一种附加材料，使用氮氧化物作为绝缘层。
快速反向或快速恢复外延二极管FET（FREDFET）：
这些是超快速的FET，具有用于体二极管的快速关闭能力。
损耗场效应晶体管(DEPFETs):
这些场效应管形成于完全耗尽的衬底上。
隧道FET（TFET）：
这些研究了量子隧道原理，广泛用于低能量电子器件，包括数字电路。yabo和365哪个平台更大
Ion-Sensitive场效应晶体管(ISFET):
该FET使用溶液中的离子浓度来调节当前的流经它。这些器件广泛应用于生物医学和环境监测领域。
生物敏感FET（BIOFET）：
在这些FET中，与栅极端子结合的生物分子改变其电荷分布并改变通道电导。这些设备之间存在许多变化，如enFet，免疫功能，Genfet，DNAFET，CPFET，BEETLEFET等。
纳米颗粒有机记忆FET (NOMFET):
这种场效应晶体管模拟了神经元间信号传输的行为，应用于人工智能领域。
有机FET（OFETS）：
这些FET具有基于薄膜晶体管概念的结构，并使用有机半导体进行通道。这些广泛用于可生物降解电子产品领域。yabo和365哪个平台更大
HEXFETs:
这些fet的模区由六角形的基本单元组成，这些单元反过来减小了模尺寸，同时增加了通道密度。
碳纳米管FET (cnfet):
这种场效应晶体管由碳纳米管(单个或阵列)代替大块硅制成的通道组成。
石墨烯纳米带场效应晶体管(gnfet):
这些场效应管使用石墨烯纳米带作为通道材料。
垂直狭缝FET（VESFET）：
这是带有垂直硅狭缝的双栅场效应管，除了两个更大的硅区域之间的一条狭窄的硅通道外，什么也没有。
量子FET（QFETS）：
这些晶体管的特征在于一种非常高的操作速度和对量子隧道原理的工作。
Inverted-T场效应晶体管(ITFET):
这些具有从水平面垂直延伸的装置的一部分。
薄膜过电镜头（TFT）：
弹道晶体管：
它们被用于高速集成电路，利用电磁力工作。
电解氧化物半导体场效应晶体管(EOSFET):
这些有标准的金属部分Mosfets.取代电解液，并用于检测神经元活动。
基于其功能的分类
小信号晶体管：
这类晶体管特别用于放大低电平信号(很少用于开关)，其性质可以是npn或pnp。
小开关晶体管:
虽然它们可以用于放大过程，但广泛用于开关目的。这些晶体管有npn和pnp两种形式。
功率晶体管:
它们用作高功率应用中的功率放大器，可以是NPN或PNP或Darlington晶体管。
高频晶体管:
这些也称为RF晶体管，并且用于高速开关装置，其中小信号在高频下操作。
光晶体管：
这些是两个端子光敏器件，只不过是具有光敏区域的标准晶体管作为基础区域的替代。
单结晶体管:
这些晶体管专门用作开关并且不适合放大。
生物医学和环境晶体管：
它们被应用于生物医学和环境传感领域。
除此之外，还存在绝缘栅双极晶体管（IGBT），其组合两个BJT的特征以及FET，因为它使用绝缘栅极来控制作为开关的双极功率晶体管。还存在包括两个称为单电子晶体管（组）的栅极控制岛的两个隧道连接。
像结纳米线晶体管（JNT）的某些晶体管甚至缺乏栅极连接的存在，导致更密集和更便宜的微芯片。最后，应该注意的是，这些只是市场上存在的充足类型中的可数晶体管类型。
