双极结晶体管是三个端子装置。无论是什么可以用作放大器或作为开关的晶体管，它必须具有一个输入电路和一个输出电路。为了便于输入和输出电路，晶体管应具有四个端子 - 两个用于输入和两个用于输出电路。为了从晶体管的仅三个端子解决四个端子的需要，晶体管中的一个端子用于输入和输出电路。通过晶体管的应用确定在晶体管中的常见终端。根据电路配置的可能性，晶体管连接具有三种类型。
在这里，要记住的是，无论什么可以是晶体管的连接，但是必须保持正向偏置的基极结合，并且基部集电极结必须保持逆转偏置。
BJT的共同基础连接
在这里，输入和输出电路共用基端。常见的基本配置或模式如下图所示。这里，常用的基模npn型晶体管并且PNP晶体管分别示出。
这里以发射极-基极电路为输入电路，集电极-基极电路为输出电路。
当前的收益
这里输入电流是发射极电流IE输出电流为集电极电流IC。当我们仅考虑电路的DC偏置电压并且输入时不施加交替信号时，将被认为是当前增益。
现在，如果我们考虑应用到输入端的交流信号，那么在恒定的集电极-基极电压下的电流放大系数(α)将为
这里可以看出，由于收集器电流不能超过发射极电流，因此，由于收集器电流的收集电流的统一性，并且电流增益和电流放大因子都没有比UNIT。但是，正如我们所知，发射极电流和集电极电流在双极结晶体管中几乎相等，这些比率将非常接近统一。该值通常为0.9〜甚至0.99。
集电器电流的表达
如果发射极电路断开，将没有发射极电流(IC= 0）。但是在这种情况下，将存在流过集电极区域的微小电流。这是因为少数竞争载流子的流动，这是反向漏电流。由于该电流流过集电极和基座保持发射器端子打开，因此电流表示为iCBO.。在小功率额定晶体管中，反向漏电流iCBO.它是相当小的，一般来说，我们在计算中忽略它，但在高功率额定晶体管中，这个泄漏电流不能被忽略。该电流高度依赖于温度，因此在高温下反向泄漏电流ICBO.计算过程中不能被忽视。
此表达式证明收集器电流还取决于基本电流。
公共基础连接的特征
输入特征
这在晶体管本身的输入电流和输入电压之间绘制。输入电流是发射极电流（iE）和输入电压是发射极限电压（VEB.)。通过发射极-基极结后正向势垒发射极电流(IE)开始随着发射极-基极电压(VEB.)。
电路的抗蚀性是发射极限电压的变化比（ΔVEB.）到发射极电流（ΔIE）在恒定的集电极基电压下（VCB.=常数)。由于发射极电流的变化相对于发射极-基极电压的变化相当大(ΔIE> >ΔVEB.），公共基晶体管的输入电阻非常小。
输出特征
当基极和集电极区域之间有足够的反向偏置时，集电极电流只有恒定值。这就是为什么当集电极-基极电压值很低时，集电极电流随着集电极-基极电压的增加而上升的原因。但是在一定的集电极-基极电压之后，集电极-基极结得到足够的反向偏置，因此集电极电流在一定的发射极电流下变得恒定，这完全取决于发射极电流。在这种情况下，除基极电流外的整个发射极电流贡献集电极电流。当集电极电流在该特性区域的特定发射极电流变得几乎恒定时，集电极电流的增加与集电极-基极电压的增加相比是非常非常小的。
集电极基电压的变化与集电极电流变化的比率被定义为晶体管的公共基础模式的输出电阻。当然，输出电阻的值在晶体管的公共基础模式中非常高。
BJT共发射极连接
常见的发射极晶体管是最常用的晶体管连接。这里，发射器终端对于输入和输出电路很常见。连接在基座和发射器之间的电路是输入电路，电路连接在集电极和发射器之间是输出电路。NPN晶体管和PNP晶体管的公共发射器模式在下图中分别示出。
当前的收益
在常见的发射器配置中，输入电流为基流电流（iB）输出电流为集电极电流（iC)。在双极结晶体管中，基极电流控制集电极电流。集电极电流变化比(ΔIC）改变基本电流（ΔIB)定义为共发射极晶体管的电流增益。在双极结晶体管中，发射极电流(IE)为基极电流(IB)和集电极电流(IC)。如果基本电流会发生变化，则收集器电流也会发生变化，结果，发射极电流也相应地改变。
同样，收集器电流变化与发射极电流相应变化的比率由α表示
由于基极电流的值相对于集电极电流(IB << IC)很低，因此共发射极晶体管的电流增益相当高，范围从20到500。
公共发射极晶体管的特点
在晶体管的公共发射器模式中，有两个电路输入电路和输出电路。在输入电路中，参数是基电流和基极电压。抵抗基电流和基极电压变化的特性曲线是公共发射极晶体管的输入特性。基础和发射极之间的PN结是正向偏置，因此该特性类似于正向偏置PN结二极管的特性。这里，在基极电压交叉之前，基极电流不会得到任何值，而是在此之后，基准电流随着基极电压的增加而显着升高。基准电流相对于基极电压的升高速率在这里高，但不像公共基础模式的情况一样高。
因此，电路的输入电阻高于晶体管的公共基本模式的电阻。
共发射极晶体管的输出特性
绘制输出特性，抵抗输出电流的变化和晶体管的输出电压。收集电流是输出电流，集电极 - 发射极电压是晶体管的输出电压。这里，集电器基电压的不同值的集电极电流的变化被绘制在基本电流的固定值。发现在开始时，集电器电流比成比例增加，随着集电极 - 发射极电压的增加而增加，但在某些电压电平之后，集电电流变得几乎恒定。这是因为在开始时，基本集电极结没有获得足够的反向偏置，而是在一定的电压之后，它变得充分地反向偏置，然后从发射极区域到基区域的电荷载波的主要部分将迁移到收集器区域以贡献收集器当前的。来自发射极区的多数载体的数量取决于BJT中的基极电流，因此收集电流是恒定的特定基极电流。
输出电阻是
BJT的常见收集器连接
在公共集电器配置中，输入电路在基站和集电极端子之间，输出电路在发射器和收集器端子之间。
发射极电流变化与基本电流变化的比率被定义为Common收集器配置的当前增益。这表示为，
电路的电流放大因子是当将时变信号施加到输入时发射极电流变化与基极电流的变化的比率。
共集电极晶体管的输入特性
输入电流为基极电流，晶体管的输入电压为基极-集电极电压。基-集电极结是反向偏置的，因此随着基-集电极电压的增加，结的反向偏置也会增加。这导致基极电流随着基极-集电极电压的增加而轻微下降。因为在这种情况下，基区的少数载流子会更多地传播到集电极区，从而降低基区的电子-空穴复合率，导致基区电流的减少。
公共收集器晶体管的输出特性
共集电极晶体管的输出特性几乎与共发射极晶体管的输出特性相同。唯一的区别是，这里在共同集电极配置的情况下输出电流是发射极电流，而不是在共同发射极配置的情况下的集电极电流。对于固定的基极电流，发射极电流随着集电极-发射极电压的增加线性增加，直到该电压的某一水平，然后发射极电流几乎不变，而与集电极-发射极电压无关。尽管如下面的特性曲线所示，发射极电流随着集电极-发射极电压的增加会非常缓慢。
