结型场效应晶体管是场效应晶体管家族中的一种半导体器件。场效应晶体管是由施加在器件结处的电场作用的一种晶体管。场效应晶体管主要有两种类型。结型场效应晶体管或JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。我们将在本文中讨论结型场效应晶体管。
JFET是一种电压控制装置，而BJT是一种电流控制装置。通过jet的电流是由多数载流子的流动引起的，而在BJT中，电流的流动是由多数载流子和少数载流子共同引起的。由于在JFET中只有多数载流子参与电流的生成，所以它是一种单极器件。JFET的输入阻抗很高。
类型的JFET
JFET有两种类型- n通道JFET和p通道JFET。
N通道JFET
n通道JFET由Si或GaAs棒组成。棒材掺杂了n型杂质。一个金属端子连接在杆的两端。其中一个端子称为漏极端子，另一个称为源极端子。棒材的两侧高度掺杂p型杂质。掺杂p型杂质的区域称为栅区。在门区连接一个金属端子，该端子称为门端子。
P通道JFET
同样，p通道JFET是由掺有p型杂质的Si或GaAs棒组成的。棒材的侧面高度掺杂了n型杂质。这里也有漏极和源极端子连接在棒的两端。连接到侧面n型区域的端子是门端子。
注:-在这两种类型的结场效应晶体管中，漏极和源极都可以互换。
如果在漏极端和源极端之间加一个电压，电流就开始流过器件。两个相对掺杂区域之间的空间称为器件的通道。由于大多数载流子的漂移而流过信道的电流。通过所述终端进入信道的多数载波称为源终端，通过所述多数载波离开信道的终端称为漏极终端。
在正常工作条件下，对n通道JFET漏极施加正电位，对p通道JFET漏极施加负电位。在JFET中栅极电压保持在这样的状态，使得栅区和通道之间的PN结处于反向偏置状态。PN结耗尽层的宽度可以通过改变栅端电压来改变。通道的开口取决于耗尽层的宽度。
如果通过改变栅极端电压，耗尽层的宽度增加，它延伸到沟道中，减少沟道的开度，因此通过沟道的电流减少。因此，我们可以得出这样的结论:通过控制栅电压，就可以控制漏极电流。根据JFET的典型特性，我们可以将该JFET用于许多不同的电子应用。JFET可以用作开关、放大器等。
JFET的属性
- 这是一个电压控制装置，因为通过通道的电流由栅电压控制。换句话说，穿过结的电场影响晶体管的运作，这就是为什么它被命名为结场效应晶体管。
- 在正常工作条件下，输入栅区和通道之间的结保持反向偏置，晶体管的输入阻抗高。
- 理想情况下，JFET中将没有栅极电流。
- 大多数载流子只通过器件中的通道贡献电流，即n通道中的自由电子和p通道中的空穴，这就是晶体管被称为单极器件的原因。
