一种P型半导体与A联系的材料n型半导体材料形成A.P-n结其中耗尽区域发生在接触平面周围。The width of this depletion region is seen to vary depending on the bias applied at the terminals of the p-n junction i.e. an increase in the applied voltage reduces the width of the depletion region in case of forward bias, while it increases the depletion region width for the case of reverse bias. Further the span of the depletion region is found to be more for a lightly doped material when compared to that of a heavily doped material.
图1示出了对于正向 - 以及反向偏置的情况的这种P-N结的I-V特征。从图中，很明显电流通过半导体随着所施加的幅度增加而上升电压当P-N结正向前偏置时。此外，可以看出，在反向偏压条件下，将存在一定量的最小电流流过p-n结。这个当前被称为反向饱和电流（iS.）并且是由于半导体器件中的少数电荷载波。
此外，我S.观察到几乎独立于初始阶段的施加电压。然而，在达到特定点之后，结置断裂导致通过装置的反向电流的重大流动。这是因为，随着逆电压的幅度增加，少数抗电荷载流子的动能也增加。这些快速移动的电子与另一个相互碰撞原子在设备中，从它们中击倒更多电子。
所以所以释放的电子进一步释放了来自原子的更多电子break共价键。该过程称为载波乘法，并导致电流流动的相当大的增加P-n结。称为相关的现象雪崩崩溃（在图中以红色显示），相应的电压是雪崩击穿电压（V布尔），这是工作原理的核心现象雪崩二极管。
雪崩击穿的效率可以以乘法因子，M给出
在这里，v和v布尔分别代表施加的电压和击穿电压。
雪崩崩溃当反向电压增加超过5V时，在轻微掺杂的P-N结中发生。此外，难以控制这种现象，因为不能直接控制产生的电荷载体的数量。此外，雪崩击穿电压具有正温度系数意义雪崩崩溃电压随着结温增加而增加。
