晶体管特性是代表关系之间的关系的情节当前和电压A.晶体管在特定的配置中。通过考虑晶体管配置电路与双端口网络类似，可以使用可以具有以下类型的特征曲线分析它们
- 输入特性：这些描述了在保持输出电压不变的情况下，输入电流随着输入电压值的变化而变化。
- 输出特性：这是具有恒定输入电流的输出电流与输出电压的曲线图。
- 目前的转移特性：该特性曲线显示了根据输入电流的输出电流的变化，保持输出电压恒定。
晶体管的公共基极(CB)配置
在CB配置中，如图1所示，晶体管的输入和输出端子之间的基极是公用的。这种配置提供低输入阻抗，高输出阻抗，高抵抗性增益和高压增益。
晶体管CB组态的输入特性
下面的图2显示了CB配置电路的输入特性，该电路描述了发射极电流I的变化E.基极-发射极电压为V是保持集电极-基极电压VCB.常数。
这导致输入电阻的表达式
晶体管CB配置的输出特性
CB配置的输出特性(图3)显示了集电极电流IC与V.CB.当发射极限时，我E.保持不变。从所示的图表中，可以获得输出电阻为：
晶体管CB配置的电流传递特性
下面的图4显示了CB配置的当前传输特性，它说明了I的变化C与我E.保持V.CB.作为一个常数。得到的电流增益具有小于1的值，并且可以在数学上表示为：
晶体管的共同收集器（CC）配置
该晶体管配置具有在输入和输出端子之间的晶体管的集电极端子（图5）并且也称为发射器跟随器配置。这提供了高输入阻抗，低输出阻抗，电压增益小于一个，电流增益大。
晶体管CC配置的输入特性
图6显示了CC配置的输入特性，其描述了I中的变化B.按照vCB.，当集电极-发射极电压为定值时，Vce。
晶体管CC配置的输出特性
下面的图7显示了CC配置的输出特性，其展示了I的变化E.对抗V的变化ce对于我的常数值B.。
晶体管CC配置的电流转移特性
CC配置的这种特性（图8）显示了I的变化E.和我一起B.保持V.ce作为一个常数。
晶体管的共发射极(CE)配置
在这种配置中，发射极端子在输入和输出端子之间很常见，如图9所示。该配置提供介质输入阻抗，中输出阻抗，介质电流增益和电压增益。
晶体管CE配置的输入特性
图10示出了晶体管CE配置的输入特性，其示出了I中的变化B.按照v是当V.ce保持不变。
从上面图10所示的图表，可以获得晶体管的输入电阻为
晶体管CE配置的输出特性
CE配置的输出特征(图11)也称为收集器特征。这张图显示了I的变化C随着v的变化ce当我B.保持不变。从所示的图表中，可以获得输出电阻为：
晶体管CE配置的电流传递特性
CE构型的这一特征表明了I的变化C和我一起B.保持V.ce作为一个常数。这可以由数学上给出
该比率称为共用发射极电流增益，总是大于1。
最后，值得注意的是，虽然所解释的特征曲线是适用的以下是，类似的分析即使在FETS.。
