主要有两个类型的晶体管- - - - - -
- 结型晶体管
- 点晶体管。
结型晶体管由于体积小、坚固耐用，主要使用结型晶体管。它们有两种类型——PNP和NPN型晶体管(图1)。
这些晶体管通常是通过以下五种基本技术制造的:
- 扩散技术
- 点接触技术
- 熔融或合金工艺
- 速率生长或生长技术
- 外延生长技术
扩散技术
这种技术被用于制造平面晶体管。平面这个词意味着晶体管的制造是在几乎平坦的晶圆平面上完成的。在这里;在含有p型气态杂质的炉中，n型晶圆片被加热到高温。因此，杂质(p型)逐渐扩散到晶圆片表面(n型)。这样就产生了p型区域，它是晶体管的基极。然后这个系统被一个带孔(孔)的掩膜包裹起来，再一次用n型气体杂质加热。结果，n型原子通过孔扩散，在p层上产生了n层，即晶体管的发射极(图2)。
最后，在整个表面涂上一层薄薄的二氧化硅，并进行照相压印，形成基极和发射极引线的铝接触。
点接触技术
它由一个n型半导体晶圆片的一面是焊接在金属底座上的，另一面是被称为猫须丝的钨弹簧或磷青铜，它被紧紧地压在晶圆片上。整个布置都用玻璃或陶瓷包裹起来。这样做是为了保证机械强度。一个巨大的当前的(200毫安)通过1-100毫秒的范围创建PN结。由于晶须材料的扩散和硅表面在接触点熔化到表面，在那里形成了PN结(图3)电容在点接触结处，这些结对工作在高频率(10ghz)非常有帮助。
熔融或合金工艺
在这种方法中，两个微小的铟或铝(受体)点被放置在n型晶圆片的对面。然后整个系统被加热到一个温度，这个温度小于晶圆材料的熔点，大于受体的熔点。
一小部分铟溶解并进入晶圆片，因此在晶圆片的两侧产生了p型材料。PNP晶体管是在冷却时产生的(图4)。
速率生长或生长技术
在这种技术中，从含有p型杂质的Ge或Si熔体中提取单晶。切克拉斯基技术或浮动技术用于此目的。在切克拉斯基的技巧中，一个半导体将种子浸入石墨坩埚中的熔融半导体中。然后，慢慢地将种子收回，此时，握着种子的棒子逐渐旋转起来。首先加入p型杂质，然后变成n型杂质。因此,PN结种植。所使用的仪器如下所示。
外延生长技术
这个名字来自希腊单词“epi”和“taxis”——“epi”的意思是“上”，“taxis”的意思是“安排”。这里，很倾斜n型半导体或p型半导体层可以生长在同一半导体的高掺杂材料(衬底)上(图6)。形成的层可以是三个(基极、发射极或集电极)中的任何一个。由此产生的接点是低的电阻。
