rating scr或晶闸管

晶闸管评级或可控硅整流器评级在安全区域操作是非常必要的。可实现可靠运行晶闸管不违反电压工作期间的额定电流。可控硅,或可控硅可以有几个额定值,如电压,当前的、电力、 、开机时间、关机时间等。通常这些额定值在制造商给出的数据表中有具体说明。

阳极电压等级

这个额定值给了我们一个关于晶闸管在没有栅极电流时的正阻的耐受功率的简单概念。

峰值工作正向阻塞或正向关闭状态电压(V

它规定了最大正向电压(阳极和阴极施加的正电压),可承受的可控硅在工作时。

峰值重复正向阻断电压(V数字版权管理

它指定了可控硅在正向阻塞模式下可以重复或周期性阻塞的峰值正向瞬态电压。此额定值是在栅极电路开路时的最大允许结温度下指定的。在换向过程中,由于反向阳极电流的高衰减率导致电压尖峰 产生了什么是V的原因数字版权管理的一代。

峰值非重复或浪涌正向阻断电压(V需求侧管理

它是不周期性出现的正向瞬态电压的峰值。这种类型的过电压在开关操作时产生的断路器。这个电压是V的130%数字版权管理),尽管它位于正向击穿电压(V双相障碍).

峰值工作电压(V读写存储器

它是晶闸管可以反复或周期性承受的最大反向电压(阳极相对阴极为负)。它只不过是交流正弦电压的峰值负值。

峰值重复Revere电压(VRRM

它是可控硅在最大允许温度下反向偏压所能承受的瞬态电压值。这个电压出现背后的原因也和V一样数字版权管理

峰值非重复Revere电压(VRSM

它暗示了不重复出现的反向瞬态电压。虽然这个电压值是V的130%RRM,处于反向击穿电压VBR
在状态电压下降(vT

这是电压降通过阳极和阴极时,额定电流流过可控硅在额定结温度。这个值一般在1伏到1.5伏之间。

向前dv / dt评级

当我们向晶闸管结施加正向电压J时1和J3.是正向偏置,而J2是反向偏置的,因此它充当一个电容器。所以由于 泄漏电流流过该设备。电流的这个值将随着值的增加而增加 .有一件事我们必须记住,电压值不是泄漏电流流动背后的原因,原因是电压的增长率。的价值电容是常数,因此当 增加到一个合适的值,使泄漏电流发生雪崩击穿在结J2.这个值的 在被称为向前 可以在没有栅极电流的情况下打开可控硅的额定值。在实践中不适合高应用 由于可控硅高温故障。

可控硅电压安全系数(V科幻小说

它被描述为峰值重复反向电压(VRRM)调至输入电压的最大值。

可控硅指压(V艘渔船

通过栅极触发关闭设备时,在阳极和阴极之间施加的最小电压值。一般来说,这个电压值比正常的ON状态电压降要小。

可控硅额定电流

我们都知道可控硅,因此可控硅是由半导体这是非常多的热敏。甚至由于过电流短的时间,设备的温度可能升高到它可能跨越其最大允许极限的高值。因此,将有一定很高的永久破坏设备的机会。为此原因,可控硅额定电流是保护可控硅非常重要的部分。

最大有效值电流(IRMS

在器件中电阻元件存在的地方产生的热量。电阻元件如金属接头是完全依赖的rms火潮因为功率损失是IRMS2R,这是转换成热量,因此导致设备温升。因此,我RMS晶闸管的额定值必须是一个合适的值,使可控硅的最大热容量不能超过。

最大平均额定电流(IAV

可以安全应用的是允许的平均电流,这样就不能超过最大结温和均方根电流的限制。一般可控硅制造商,提供一个特性图,显示我AV作为温度I的函数C以电流导通角φ为参数。这种特性被称为“正向平均电流降阻特性”。

最大浪涌电流(ISM

如果晶闸管在其额定重复电压和电流下工作,其最大允许温度永远不会超过。但由于电路故障,可控硅可能会进入不正常的工作状态。为了克服这个问题,制造商还规定了最大允许的冲击电流额定值。该额定值指定了设备能够承受的最大非重复浪涌电流。该额定值取决于喘振周期的数量。在生产时,至少规定了三种不同持续时间的浪涌电流额定值。例如,
SM= 3000a为1/2周期
SM3个循环= 2,100a
SM= 1800a 5个周期
I之间的情节SM并给出了周期数,用于处理各种周期浪涌电流。

2R可控硅额定值

给出这个额定值是为了了解晶闸管的过电压处理功率。以A为单位的评级2S是可控硅短时间内所能处理的能量的度量。一个电熔丝2R额定值必须小于保护用可控硅的额定值。

di/dt可控硅额定功率

当可控硅被打开时,传导停留在靠近栅极的一个非常小的区域。这一小块传导区域扩散到整个连接处。但如果扩散速度航空公司收取会比这个小吗 然后在靠近栅极的地方可能出现局部热点,从而破坏设备。为了克服这个问题,最大的水流上升速度, 也在制造设备期间指定。

可控硅闭锁电流

这是额定电流低于SCR不能打开,即使门信号是适用的。这意味着要打开这个设备,阳极电流必须上升这么多。栅极脉冲必须是连续的,直到阳极电流大于或等于晶闸管的锁存电流,否则设备将无法接通。

可控硅的保持电流

这是低于阳极电流的额定值,在关闭设备时阳极电流必须下降。

可控硅栅规范

触发门极电流(IGT

这是门极电流的值,低于此值设备不能打开。在特定正向击穿电压下规定的电流值。

栅极触发电压(VGT

这是门电路必须获得的最小门电压值。正确打开可控硅。此电压值也在类似于I的特定正向击穿电压下指定GT

非触发栅极电压(VNG

这是门电路电源电压的最大值,低于此值设备必须处于关断状态。所有不必要的噪声信号必须位于此电压下,以避免不必要的打开设备。

峰值反向栅极电压(V

这是可以应用在阴极和栅极的最大反向电压的值。

平均栅极功耗(P雀鳝

这是门电路在门电流脉冲宽度大于100微秒时不能超过的平均功耗值。

峰值门馈电流(I

这是最大正向栅极电流的额定值,不能超过这个额定值以保证可靠和安全的运行。

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