可控硅或可控硅的开关和关断特性亚博ag安全有保障gydF4y2Ba

可控硅打开时间gydF4y2Ba

一个正向偏压gydF4y2Ba晶闸管gydF4y2Ba可以通过积极的方式激活吗gydF4y2Ba电压gydF4y2Ba在栅极和阴极端子之间。但从正向阻断模式到正向传导模式需要一定的过渡时间。这个过渡时间被称为gydF4y2Ba可控硅打开时间gydF4y2Ba又可细分为三个小区间，即延迟时间(tgydF4y2Ba_dgydF4y2Ba)上升时间(tgydF4y2Ba_rgydF4y2Ba),传播时间(tgydF4y2Ba_{年代gydF4y2Ba})。gydF4y2Ba

可控硅延迟时间gydF4y2Ba

在栅极电流的作用下，晶闸管会在一个非常小的区域内开始导电。gydF4y2Ba可控硅延迟时间gydF4y2Ba可以定义为栅极电流从最终值I ?的90%增加到100%所花费的时间gydF4y2Ba_ggydF4y2Ba。从另一个角度来看，gydF4y2Ba延迟时间gydF4y2Ba阳极电流从正向漏电流上升到其最终值的10%，同时阳极电压从其初始值的100%下降到90%的间隔是V吗gydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}。gydF4y2Ba

可控硅上升时间gydF4y2Ba

可控硅上升时间gydF4y2Ba阳极电流从最终值的10%上升到90%所花的时间。同时阳极电压从初始值V的90%下降到10%gydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}。降低阳极电压和增加阳极电流的现象完全取决于负载的类型。例如，如果我们连接一个感性负载，电压下降的速度将比电流增加的速度快。这是因为感应不允许最初的高电压通过它改变。另一方面，如果我们连接一个电容负载，它不允许初始高gydF4y2Ba电压gydF4y2Ba因此，通过它来改变gydF4y2Ba当前的gydF4y2Ba电压上升速率大于电压下降速率。gydF4y2Ba

di增长率高gydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}/dt会在设备中产生不适合正常操作的局部热点。所以，建议使用gydF4y2Ba电感器gydF4y2Ba与该装置串联处理高digydF4y2Ba_{一个gydF4y2Ba}/ dt。通常，允许的最大di/dt值在每微秒20 ~ 200 A之间。注意，你可以通过研究一些gydF4y2Ba基本的电子问yabo和365哪个平台更大题gydF4y2Ba我们这里有Electrical4亚博ag安全有保障U。gydF4y2Ba

可控硅扩散时间gydF4y2Ba

它是指阳极电流从最终值的90%上升到100%所花费的时间。同时阳极电压从初始值的10%下降到可能的最小值。在这段时间内，传导扩散到整个阴极区域，可控硅将进入完全开启状态。gydF4y2Ba可控硅扩散时间gydF4y2Ba取决于阴极的横截面积。gydF4y2Ba

可控硅关闭时间gydF4y2Ba

一旦晶闸管接通或从其他角度看，阳极电流高于保持电流，栅极损耗控制它。这意味着门电路无法关闭设备。关闭时，可控硅阳极电流必须低于保持电流。当阳极电流降为零后，由于四层的载流子电荷的存在，我们不能在器件上施加正向电压。所以我们必须清除或重组这些电荷gydF4y2Ba关掉可控硅gydF4y2Ba。所以gydF4y2Ba可控硅关闭时间gydF4y2Ba可以定义为阳极电流降为零而器件恢复正向阻塞模式之间的时间间隔。在去除四层载体费用的基础上，gydF4y2Ba可控硅关闭时间gydF4y2Ba可分为两个时间区域，gydF4y2Ba

反向恢复时间。gydF4y2Ba
门恢复时间gydF4y2Ba

反向恢复时间gydF4y2Ba

它是从J中移除变更载波的时间间隔gydF4y2Ba_1gydF4y2Ba和J类gydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba结。在时间tgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba当阳极电流降为零时，阳极电流在反向继续增大，其斜率(di/dt)与正向减小的斜率相同gydF4y2Ba当前的gydF4y2Ba。这个负电流将有助于清除结J的载流子电荷gydF4y2Ba_1gydF4y2Ba和JgydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba。在时间tgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba载流子电荷密度不足以维持t后的反向电流gydF4y2Ba_2gydF4y2Ba这个负电流就会开始减小。电流在t点的值gydF4y2Ba_2gydF4y2Ba称为反向恢复电流。由于阳极电流的快速下降，一个反向尖峰gydF4y2Ba电压gydF4y2Ba可能出现在SCR上。总恢复时间tgydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba- tgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba被称为gydF4y2Ba反向恢复时间gydF4y2Ba。之后，设备将开始跟随应用的反向电压，它获得了阻止正向电压的特性。gydF4y2Ba

门恢复时间gydF4y2Ba

清除J路口的载流子之后gydF4y2Ba_1gydF4y2Ba和JgydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba在gydF4y2Ba反向恢复时间gydF4y2Ba在JgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba防止可控硅阻挡正向电压的结。这种被捕获的电荷只能通过复合来去除，这种复合过程的间隔称为gydF4y2Ba门恢复时间gydF4y2Ba。gydF4y2Ba