可控硅特性或可控硅特性

一个晶闸管4层3结是p-n-p-n吗半导体至少由三个组成的装置pn结，可作为高功率操作的电气开关。它有三个基本端子，即安装在器件的半导体层上的阳极、阴极和栅极。用符号图和基本电路图来确定晶闸管的特点如下图所示，

晶闸管的V-I特性

从上面的电路图我们可以看到阳极和阴极连接到电源电压通过负载。另一次要电源E_年代在栅极和阴极端之间，当开关S关闭时，栅极和阴极端提供正栅极电流。
只要供应，我们就得到所需的晶闸管的V-I特性阳极到阴极电压V如下图所示_一个和阳极电流I_一个我们可以从电路图上看到。对晶闸管特性的详细研究表明，晶闸管具有三种基本工作模式，即反向阻断模式、正向阻断(关态)模式和正向传导(通态)模式。下面将详细讨论这些问题，以便全面了解可控硅的特性。

可控硅反向阻断方式

最初的可控硅反向阻塞模式，通过供电电压E和栅极到阴极电源电压E使阴极相对于阳极为正_年代是通过保持开关S打开来初始分离的。为了理解这种模式，我们应该研究可控硅是反向偏置的第四象限。

这里连接J₁和J_3.是反向偏置的，而结J₂正向偏压。这里晶闸管的行为类似于两个二极管串联并施加反向电压。结果只有很小的泄漏当前的电流的量级为几μ安培。
这是晶闸管的反向阻塞模式或断开状态。如果反向电压现在增加，那么在一个特定的电压下，称为临界击穿电压V_BR，在J点发生雪崩₁和J_3.反向电流迅速增加。与V有关的大电流_BR引起更多的损失在可控硅，这导致加热。这可能导致晶闸管损坏，因为结温度可能超过其允许的温升。因此，应确保最大工作反向电压通过a晶闸管不超过V_BR。当晶闸管上施加的反向电压小于V时_BR，该装置提供非常高的反方向阻抗。因此，可控硅在反向阻塞模式可以视为开路。

向前阻塞模式

现在考虑阳极相对于阴极是正的，栅极保持开放状态。如图所示，可控硅现在被称为正偏置。

就像我们看到的J₁和J_3.现在是正向偏置，但结J₂进入反向偏置状态。在这种特殊模式下，一个小电流，称为正向泄漏电流被允许流动，如图所示的可控硅特性图。现在，如果我们继续增加正极对阴极的正向偏置电压。

在这种特殊模式下，晶闸管以很小的电流从阳极传导到阴极电压降在它。晶闸管通过超过正激击穿电压或在栅极和阴极之间施加栅极脉冲来打开它，从而从正激闭塞模式带到正激传导模式。在此模式下，晶闸管处于通态，表现为闭合开关。晶闸管在通态下的压降为1 ~ 2v，这取决于某一点，然后反向偏置结J₂将会有一个雪崩击穿在一个称为前向击穿电压V的电压下_B0晶闸管。但是，如果我们保持正向电压小于V_薄，我们可以从晶闸管的特性看出，该器件提供了一个高阻抗。因此，即使在这里，晶闸管在正向阻断模式中也作为开路开关工作。

向前传导模式

当正负极正向电压增加时，随着栅极电路开路，反向结J₂在正向击穿电压V时会发生雪崩击穿吗_薄导致可控硅打开。一旦可控硅被打开，我们可以从图中看到晶闸管的特点在这里，NK表示晶闸管的正向传导模式。在这种工作模式下，晶闸管以最小的电压降传导最大的电流，这被称为正导正导或晶闸管的通模式。