PIN光电二极管|雪崩光电二极管

PIN二极管

PIN光电二极管是一种照片检测器,它可以将光信号转换为电信号。
这项技术是最近1950年代的发明。这种二极管有三个区域。

存在一个内在区域和n区的p域。P区和n区比通常的p区和正常区域相对掺杂p-n二极管。内在区域的宽度应大于正常的空间电荷宽度PN结

PIN照片二极管使用施加的反向偏置操作电压当应用反向偏压时,空间电荷区域必须完全覆盖内在区域。通过光子吸收在空间电荷区域中产生电子空穴对。频率响应的开关速度光电二极管与寿命成反比。

可以通过小型少数群体寿命增强开关速度。对于响应速度重要的照片探测器应用,由于开关速度也增加了耗尽区宽度尽可能大的少数级载体寿命。这可以实现PIN光电二极管随着固有区域的插入空间电荷宽度较大。下面给出普通销光电二极管的图。
PIN光电二极管

雪崩光电二极管

雪崩照片二极管(不与迷彩雪崩二极管)是一种光电检测器,可以将信号转换为电信号的开发研究工作在雪崩的发展中二极管主要是在1960年代完成的。
雪崩光电二极管结构配置与PIN光电二极管非常相似。一种PIN光电二极管包括三个地区 -

  1. P域,
  2. 内在区域,
  3. n区。

差异是,施加的反向偏压非常大以引起冲击电离。对于SC材料的硅,a二极管需要100到200伏之间。首先通过耗尽区域中的光子吸收产生电子空穴对。这些通过冲击电离产生更多电子孔对。这些被快速扫除耗尽区域,即,过境时间非常少。

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