PNP晶体管:它是如何工作的?（符号与工作原理）|亚博ag安全有保障电气4U.

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什么是PNP晶体管

PNP晶体管是一种双极结晶体管由一个三明治组成n型半导体两者之间p型半导体。PNP晶体管具有三个端子 - 收集器（C），发射极（E）和碱（B）。PNP.晶体管表现为二PN结二极管背靠背连接。

这些背对背的PN结二极管被称为集电极-基极结和基极-发射极结。

关于PNP晶体管的三个端子，发射器是区域用于通过基部区域将电荷载波供应到收集器。收集器区域收集来自发射器发射的大多数所有电荷载波。基区域触发并控制电流量流过发射器到收集器。

PNP晶体管的等效电路如下图所示。

PNP晶体管的结构与PNP晶体管的结构非常相似NPN晶体管。在NPN晶体管中，一个P型半导体被两个p型半导体夹住。在PNP晶体管中，一个n型半导体用两个p型半导体夹着。

PNP晶体管的结构如下图所示。

在p型半导体，大多数载流子是洞。因此，在PNP晶体管中，电流的形成是由于空穴的运动。

中间层(n型层)称为基端(B)，左边的p型层作为发射极(E)，右边的p型层作为集极(C)。

与基极(n型)层相比，发射极和集电极(p型)层是重掺杂的。因此，两个连接处的耗竭区更向基层穿透。发射极和集电极层的面积比基极层大。

在n型半导体中，可提供大量的自由电子。但是，中间层的宽度非常小，并且很轻微掺杂。因此，基本区域中存在显着不太自由的电子。

PNP晶体管的符号如下图所示。箭头表示电流将通过发射极流向集电极。

a的正极电压源(V_EB.)接发射极(p型)，负极接基极(n型)。因此，发射极-基极结以正向偏压连接。

和电压源的正端子（V_CB)接Base端子(n型)，负极接Collector端子(p型)。因此，集电极-基极结是反向偏置连接的。

由于这种类型的偏置，发射极-基极结的耗尽区很窄，因为它是在正向偏置中连接的。而集电极-基极结是反向偏置的，因此在集电极-基极结的耗尽区是宽的。

发射极限结处于向前偏置。因此，来自发射器的非常大量的孔交叉耗尽区域并进入底座。同时，很少有电子从底座进入发射器并用孔重新组合。

发射器中的孔的损失等于基层中存在的电子数量。但是底座中的电子数量非常小，因为它是非常轻微的掺杂和薄区域。因此，几乎所有发射器的孔都会穿过耗尽区域并进入基层。

由于空穴的运动，电流将流过发射极-基极结。这种电流称为发射极电流(I_E)。空穴是主要的载流子来流动发射极电流。

剩余的孔与基座中的电子重新结合，该孔将进一步向收集器进一步行进。收集器电流（i_C）由于孔而流过集电极基区域。

PNP晶体管的电路如下图所示。

如果我们比较PNP晶体管和NPN晶体管的电路，电流的极性和方向是相反的。

如果PNP晶体管连接上上图所示的电压源，基极电流就会流过晶体管。如果基极电压大于发射极电压，则少量的基极电流控制大量电流通过发射极到集电极的流动。

如果基极电压不比发射极电压不大，则电流不能通过该装置流过。因此，有必要为反向偏置的电压源超过0.7V。

两个电阻R_l和R._B连接在电路中以限制通过晶体管的最大电流量。

如果你申请a基尔霍夫电流定律(KCL)时，发射极电流是基极电流和集电极电流的总和。

$\[I_E = I_B + I_C]$

$\ [i_c = i_e - i_b \]$

通常，当开关关闭时，电流不能流动并表现为开路。类似地，当开关接通时，电流将流过电路并充当闭合电路。

晶体管只需一种电源电子开关，即可以像普通开关一样工作。yabo和365哪个平台更大现在问题是我们如何使用PNP晶体管作为交换机？

正如我们在PNP晶体管的工作中所看到的，如果基极电压不是比发射极电压更负，电流就不能通过器件。因此，在反向偏压下，基极电压最小为0.7 V，以引导晶体管。

这意味着，如果基极电压为零或小于0.7 V，电流就不能流动，就像开路一样。

要打开晶体管，基极电压必须大于0.7 V。在这种情况下，晶体管起着闭合开关的作用。

比较PNP晶体管VS NPN晶体管的主要差异已经总结在下表中：