到目前为止讨论的逻辑族是通常用于实现离散逻辑函数，如逻辑门,人字拖计数器,多路复用器,解复用器等，在相对不那么复杂的数字集成电路中属于小规模集成(SSI)和中等规模集成(MSI)级别的内部电路的复杂性。
的TTL在美国，CMOS和ECL逻辑家族不适合实现内部电路复杂度达到大规模集成(LSI)或更高级别的数字集成电路。lsi级数字集成电路的竞争对手是管理办公室,NMOS集成注入逻辑(I2L)。本节将简要讨论前两种方法。
办公室的逻辑
的办公室的逻辑家庭使用p通道mosfet。图(a)显示了一个逆变电路使用PMOS逻辑(不要与a混淆逆变器)。MOSFET问1作为一个主动负载场效应晶体管开关问2。对于所示电路，
接地和−VDD分别表示一个正逻辑系统的逻辑“1”和逻辑“0”。当输入接地(即逻辑' 1 ')时，Q2保持在cut-off和−VDD通过传导Q出现在输出端1。当输入为at - V时DD或接近−VDD,问2导电性和输出接近于零电位(即逻辑' 1 ')。图(b)显示了基于PMOS逻辑的双输入或非门。在图(b)的逻辑安排中，只有当两个Q都存在时，输出才进入逻辑‘1’状态(即地电位)1和问2正在进行。
只有当两个输入都处于逻辑“0”状态时，这才可能实现。对于所有其他可能的输入组合，输出处于逻辑“0”状态，因为，无论是Q还是Q1或问2不导电时，输出接近−VDD通过传导Q3.。因此，图(b)的电路就像正逻辑中的双输入NOR门。
这里要提到的是场效应晶体管被用作负载[Q1在图(a)和Q中3.在图(b)中]被设计为具有开-电阻这比用作开关的mosfet的总导通电阻要大得多[Q2在图(a)和Q中1和问2在图(b))。
NMOS逻辑
NMOS逻辑家族使用n沟道mosfet。n通道MOS器件需要更小的芯片面积晶体管与p通道器件相比，NMOS逻辑提供了更高的密度。此外，由于更大的流动性航空公司收取在n通道器件中，NMOS逻辑家族也提供了更高的速度。
正是由于这个原因，大多数MOS存储设备和微处理器都采用NMOS逻辑或其变体，如VMOS、DMOS和HMOS。VMOS、DMOS和HMOS只是NMOS的结构变化，目的是进一步降低传播延迟。图(a)、(b)和(c)分别显示了一个逆变器、一个双输入NOR和一个双输入非与NMOS逻辑。逻辑电路是不言而喻的。
