什么是枪支二极管？
一种Gunn二极管是一个被动的半导体具有两个端子的装置，其仅由n掺杂的半导体材料构成，与其他二极管不同，该二极管P-n结。Gunn二极管可以由镓砷（GaAs），磷化铟铟（InP），氮化镓（GaN），碲化镉（CdTe）等多个，初始空，紧密的能量谷的材料组成的材料组成的材料，硫化镉（Cds），砷化铟（InAs），铟锑苷酸（INSB）和硒化锌（ZnSe）。
一般制造程序涉及在退化的N +底物上生长外延层以形成三个n型半导体与中间有源层相比，层（图1A），其中in-In-In-In-In-In-In-In-In-In-In-In掺杂。
此外，金属触点设置在Gunn二极管的任一端以便于偏置。电路符号Gunn二极管如图1b所示，与正常情况不同二极管以表示没有p-n结。
在枪支二极管的端子上应用直流电压，电场在其层中开发，其中大部分出现在中央活动区域。在初始阶段，由于电子从价带的移动到导电带的下谷，导通导致导通增加。
相关的V-I曲线图通过图2的区域1（粉红色中的彩色）中的曲线示出。但是，在达到某个阈值（VTH.），通过GUNN二极管的导通电流如图2（蓝色的蓝色上色）所示的曲线所示。
这是因为，较高电压导通带的下谷的电子进入其高于其更高的山谷，在其迁移率由于其有效质量的增加而降低。迁移率的降低降低了导电率，这导致减少当前流过二极管。
结果，二极管据说表现为负面抵抗性V-I特征曲线中的区域（从峰值点到谷点的区域）。这种效果称为转移电子效果，从而称为Gunn二极管也称为转移电子器件。
Further it is to be noted that the transferred electron effect is also called Gunn effect and is named after John Battiscombe Gunn (J. B. Gunn) after his discovery in 1963 which showed that one could generate microwaves by applying a steady voltage across a chip of n-type GaAs semiconductor. However it is important to note that the material used to manufacture Gunn diodes should necessarily be of n-type as the transferred electron effect holds good only for electrons and not for holes.
而且由于GaAs是一个穷人导体，Gunn二极管产生过多的热量，因此通常提供散热器。另外，在微波频率下，电流脉冲通过在特定的活动区域上行进电压值。电流脉冲跨越有源区域的这种运动会降低其上的电位梯度，这又避免了进一步电流脉冲的形成。
只有在先前生成的脉冲到达活动区域的远端时，才能产生下一个电流脉冲，再次增加电位梯度。这表明电流脉冲在横跨活动区域横跨活动区域所花费的时间决定了产生电流脉冲的速率，从而修复了Gunn二极管的操作频率。因此，为了改变振荡频率，必须改变中心有源区域的厚度。
此外，应该注意的是，Gunn二极管呈现的负电阻的性质使其能够作为两个放大器和振荡器，后者被称为aGunn二极管振荡器或GunnOSCAillator。
Gunn二极管的优点和缺点
该Gunn二极管的优势包括：
- 在于它们是最便宜的微波来源（与其他选项相比Klystron管）
- 它们的尺寸紧凑
- 它们在大带宽上运行并具有高频稳定性。
Gunn二极管的缺点包括：
- 它们具有高电平的电压
- 它们效率低于10 GHz
- 它们具有较差的温度稳定性。
Gunn二极管的应用
Gunn二极管的应用包括：
- 在电子振荡器中产生微波频率。
- 在参数放大器中作为泵源。
- 在警察雷达。
- 如传感器在门打开系统中，侵入检测系统，行人安全系统等。
- 作为自动门开启器中微波频率的源，交通信号控制器等
- 在微波炉接收器电路中。
- 在无线电通信中。
- 在军事系统中。
- 作为远程振动探测器。
- 在tohometers中。
- 在脉冲Gunn二极管发生器。
- 在微电子中作为控yabo和365哪个平台更大制设备。
- 在雷达速度枪中。
- 作为微波继电器数据链路变送器。
- 在连续波多普勒雷达中。
