的概念电流密度很简单，但它是多用途充分的领域电气工程。
金属电流密度
假设，我们有一个截面为2.5平方毫米的导体，现在由于应用电势,导体携带3a的电流。现在,电流导体所携带的每平方毫米其横截面是3/2.5 = 1.2 A。这里我们认为导体中的电流在其截面上是均匀分布的。现在这个1。2安培是电流密度显然，它的测量单位是安培每平方毫米或更多，理论上是安培每单位面积。因此，电流密度可以定义为导体在导电介质单位横截面上所携带的电流。
我们用J表示电流密度，J等于I/A。在这里,“我”是均匀分布电流是由导体的横截面积如果总N的电子通过导体的横截面在时间T,那么不就是电荷转移通过截面在同一时间T e是电子的电荷库仑
单位时间内通过横截面的电荷量是
如果N个电子在导体的L长度内，那么电子浓度为
从方程(1)可以得出，
因为有N个电子的长度为L，并且它们都在时间T通过横截面，所以漂移速度电子的数量是，
因此，式(2)也可以改写为
如果应用电场对导体来说是E，那么电子的漂移速度成比例地增加，
其中，μ定义为电子迁移率
半导体电流密度
为了计算半导体的电流密度，需要考虑一些因素。
- 在半导体中，电流的流动不仅是由于电子，而是由于电子和空穴的漂移。
- 空穴的运动总是与相应电子的运动相反。
- 空穴为其运动方向提供电流，而电子则为其运动方向相反的方向提供电流。因此，这两个电流将是在同一个方向。
- 半导体中引起电流的电子通过导带，而引起电流的空穴通过价带。这就是为什么电子和空穴的迁移率是不同的半导体。
半导体电流密度会,
在那里,我n是由于移动电子而产生的电流密度。
在那里,我p为移动空穴造成的电流密度，
然后,
其中，n和p分别为移动电子和空穴的浓度，e为每个电子和空穴的绝对电荷，μn和μp分别为电子迁移率和空穴迁移率。
电流密度和电导率之间的关系是什么?
电流密度的表达式为
V是应用的电压在导体,
R是电阻的导体,
A是导体的截面积，
L是导体的长度，
ρ是导体电阻率,
σ(= 1/ρ)是导体导电率。
E是电场强度电压/长度。
