保护设备是可靠和有效的操作的一个重要方面。硅控制整流器（SCR）是一种非常细腻的半导体设备。因此，我们必须在其指定的额定值中使用它以获得所需的输出。由于过电压，过电流等，SCR可能面临不同类型的威胁。存在不同类型的晶闸管保护方案可用于设备的令人满意的操作
- 过压保护。
- 过流保护。
- 高DV / DT保护。
- 高DI / DT保护。
- 热保护。
过电压保护
这是最重要的保护计划w。r。T。其他晶闸管对过电压非常敏感。最大时间晶闸管故障由于过电压瞬变而发生。
晶闸管可以受到内部或外部过电压。
内部过电压：在换置晶闸管反向恢复电流突然衰减后，高DI / DT导致高反向电压[AS，V = L（DI / DT）所以如果DI / DT为高，则V将大]可以超过额定断裂电压，并且设备可能损坏。
外部过电压：这些是由于闪电等供应线的各种原因引起的，浪涌条件（异常电压尖峰）等。外部过压可能导致晶闸管操作中的不同类型的问题，如漏电流的增加，接合部的永久性故障，不需要的开启设备等所以，我们必须抑制过电压。
保护措施：通过使用非线性可以最小化过电压的效果电阻器称为金属氧化物变阻器等电压夹紧装置。在正常运行时，它提供高阻抗，并作用，因为它不存在于电路中。但是当电压超过额定电压时，它用作保护SCR的低阻抗路径。
过流保护
由于电路中的不同类型的故障，过电流主要发生。由于我的过流2r损失将增加和高产生的热量可能超过允许极限并燃烧设备。
保护措施：通过使用可以保护SCR免受过电流断路器（CB）和快速作用电流限制保险丝（FACLF）。CBS用于保护晶闸管免受连续过载或持续长时间的浪涌电流，因为CB具有长的跳闸时间。但快速作用的保险丝用于保护SCR免受持续时间非常短的高浪涌电流。
高DV / DT保护
当晶闸管处于向前阻塞状态时，只有j2交界处是反向偏见的，其充当电容器具有恒定电容值C.j（结电容）。正如我们所知道的那样当前的通过电容器跟随关系
因此，通过j漏电流2只不过是通过设备的泄漏电流的连接点随着DV的增加而增加一种/ dt i.e.应用变化率电压穿过晶闸管。即使栅极信号不存在，此电流也可以打开设备。这被称为DV / DT触发，必须避免通过使用与设备并联的缓冲电路来实现。
保护措施：
缓冲电路：它由串联连接的电容器与电阻器连接，当S关闭时，当S关闭时，电压VS.应用于设备以及cS.突然。在第一次缓冲电路时表现得像短路。因此，设备上的电压为零。逐渐跨越CS.以缓慢的速度建立起来。所以DV / DT穿过晶闸管将保持允许的范围。
在接通晶闸管C之前S.完全充电，然后在晶闸管接通时，它通过SCR排出。这种放电电流可以借助于电阻（R.S.）与电容器串联连接（CS.）以安全限制保持电流值和电流变化率。
高级/ DT保护
当晶闸管通过栅极脉冲打开时电荷运营商.迅速地传播其交界处。但是，如果阳极电流的升高，即DI / DT大于电荷载体的扩展，则将发生局部的发热，称为局部热点。这可能会损坏晶闸管。
保护措施：为了避免局部热点，我们使用电感器符合设备的串联，防止通过它的电流变化高。
高温保护
随着交界处的温度的增加，绝缘材料可能会失败。因此，我们必须采取适当的措施来限制温度升高。
保护措施：我们可以通过将晶闸管安装在散热器上的晶闸管来实现这一点，该散热器主要由铝（Al），铜（Cu）等的高导热率金属制成。主要是由于其低成本而使用铝（Al）。SCR有几种类型的安装技术，如引线安装，螺柱安装，螺栓安装，压配安装，压力组件安装等。
晶闸管的门保护
与晶闸管一样，栅极电路也应免受过电压和过电流保护。栅极电路的过电压可能导致错误触发，过电流可能导致高结温。
保护措施：过电压晶闸管保护通过使用a实现齐纳二极管并且可以使用电阻来保护栅极电路免于过电流。栅极电路中的噪声也可能导致错误触发，可以通过使用电阻器和a来避免电容器并行。一种二极管（d）可以串联或与栅极并联连接，以保护其免受高反向电压。
整体保护晶闸管
铅安装：在这种安装技术中，SCR本身的壳体用作散热器。因此，不需要额外的热Zink布置。因此，这种晶闸管保护技术通常用于低电流施加，通常小于一个安培。
螺柱安装：晶闸管的阳极是螺纹螺柱的形式，该螺柱螺纹拧到金属散热器块上。
螺栓卸妆：这里，通过螺母螺栓机构，该装置连接到散热器。它主要用于中小型额定电路。
按Fit安装：通过将整个SCR插入金属块来获得这种安装。它用于高额定电路。
按-Pack安装：这种安装晶闸管保护通过在夹子的帮助下将晶闸管夹在散热器之间来获得。它用于非常高的额定电路。
